SOC中多片嵌入式SRAM的DFT实现方法

李莉; 于忠臣; 柏璐

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多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成.为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战.文中以一款基于SMIC 0.13um工艺的OSD显示芯片为例,从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了多片SRAM的MBIST设计,提出了一种可实现多片SRAM的快速高效可测试设计实现方法.

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来源
《电子元器件应用》|2010年第7期|29-31|共3页
作者
李莉; 于忠臣; 柏璐;
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作者单位

北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室,北京,100124;

北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室,北京,100124;

北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室,北京,100124;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
多片嵌入式SRAM; MBIST; 可测试设计;

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