器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响

摘要

在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV，理想因子分别为1．12和1．02；峰值响应率分别为0．07A／W和0．005A／W，台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦，而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而减低的曲线。产生这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。