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隔离式MOSFET驱动器IC功效在轻载时得到改善

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＜正＞许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极双极晶体管（IGBT）,工程师更希望栅极到源极电压为

著录项

来源
《电子设计技术》 |2009年第4期|70+72-70+72|共1页
作者
Marián Stofka;
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作者单位

斯洛伐克技术大学;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词

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