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陆楠;
GaN集成功率级器件; GaNpowIR; iP201x; IR;
机译:集成功率级器件基于GaN
机译:商用GaN功率器件和基于GaN的转换器设计挑战的回顾
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:使用GaN MESFET器件设计高效,高输出功率,L波段D.1级RF功率放大器
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:CMOS集成GaN LED阵列,用于可见光通信中的离散功率级步进
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:具有集成保护器件的GaN基功率器件:结构和方法
机译:晶圆级封装GaN功率器件及其制造方法
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