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禹玥昀; 林宏;
西南林业大学;
热载流子; 可靠性模型; 寿命; JEDEC标准;
机译:SoI型块状硅nMOS器件中热载流子效应的仿真研究
机译:通过器件仿真检查AlGaAs / InGaAs pHEMT的热载流子效应
机译:由于热载流子效应,功率RF N-LDMOS器件的S参数性能下降
机译:T-FinFET器件的热载流子效应和氧化物可靠性
机译:由于亚微米MOSFET器件的热载流子效应而导致的衬底电流模型。
机译:改善了二氧化硅封装的长期可靠性Perovskite量子点发光器件具有光学泵送远程电影包
机译:可靠性的逻辑综合-控制电迁移和热载流子效应的早期开始
机译:可靠性 - 热载流子效应的VLsI设计
机译:预测半导体器件的可靠性的方法,使用该半导体器件的可靠性预测系统以及使计算机执行该半导体器件的存储介质存储程序
机译:用于降低MOS晶体管的热载流子效应的半导体器件结构
机译:减少晶体管器件中的沟道热载流子效应
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