化学机械抛光中抛光垫的研究

摘要

抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分.它具有贮存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用.抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定.本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律,认为:抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性,CMP过程材料去除率增大;采用表面合理开槽的抛光垫,可提高材料去除率,降低晶片表面的不均匀性;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率.对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致.与离线修整相比较,在线修整时修整效果比较好.