Sn-Ge改性BCZT无铅压电陶瓷的结构与性能

摘要

采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.09)Ti_(0.91-2x)Sn_(x)Ge_(x))O_(3)(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时,该体系的居里温度最高(为122℃)。