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李哲; 张刚; 付丹扬; 王琦琨; 雷丹; 任忠鸣; 吴亮;
上海大学材料科学与工程学院;
奥趋光电技术(杭州)有限公司;
氮化铝; 物理气相传输法; 同质外延; 生长条件; 结晶质量;
机译:气相法制备碳化硅同质外延层的工艺建模与表征
机译:分子束外延生长的同质外延非极性m面ZnO薄膜的残留和氮掺杂
机译:纳米尺寸γ氧化铝(γAl2O3)和PVA复合膜的制备及表征
机译:在M-GaN(非极性)和C-GaN(极性)衬底上进行GaN /(In,Ga,Al)N MQW的同质外延生长
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:化学溶液沉积法在硅上制备大孔外延石英薄膜
机译:通过化学气相沉积法制备氧化铝负载的氧化铌:通过振动光谱和热重分析法表征:通过化学气相沉积法制备氧化铝负载的氧化铌:通过振动光谱和热重分析法表征
机译:作为衬底的al x ga(1-x),用于红外-led的外延晶片,红外-led,用于衬底的al x ga(1- x)的生产方法,用于制备外延晶片的工艺,用于红外LED的方法和生产红外LED的方法
机译:大尺寸非极性干基及其制备方法
机译:氧化铝碳氮化法连续制备氮化铝的工艺
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