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制作低温度系数的Cr-SiO薄膜电阻的工艺探讨

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摘要

本文提出要制得最低温度系数(TCR)的Cr-SiO薄膜电阻,粉料组份或退火温度必须取在工艺决定的TCR 曲线与横坐标轴交点上.以此作为制作低TCR 的Cr-SiO 薄膜电阻的工艺原则.

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来源
《微电子学与计算机》 |1990年第3期|44-46|共3页
作者
张允济;
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作者单位

机械电子工业部212研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类互感器;
关键词
Cr-SiO; 薄膜电阻; 低温度系统;

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