深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

张同意; 石顺祥; 赵卫; 龚仁喜; 孙艳玲

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深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

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建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释 ,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导 .

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来源
《光子学报》 |2003年第1期|121-123|共3页
作者
张同意; 石顺祥; 赵卫; 龚仁喜; 孙艳玲;
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作者单位

西安电子科技大学;

中国科学院西安光机所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类各种开关;光波导;
关键词
光导半导体开关; 非线性工作模式; 深能级杂质模型; 数值分析; PCSS;

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