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程诚; 纪箴; 贾成厂; 王召利; 黄小泓; 王聪瑜;
北京科技大学新材料技术研究院;
Al_2O_3陶瓷; MgO; 放电等离子烧结; 致密化; 气孔;
机译:MgO掺杂对微波烧结过程GD_2ZR_2O_7陶瓷致密化和晶粒生长行为的影响
机译:无压烧结过程中γ-Al_2O_3纳米陶瓷的致密化行为和微观结构演变
机译:MgO掺杂对微波烧结Gd_2Zr_2O_7陶瓷致密化和晶粒长大行为的影响
机译:Al_2O_3作为烧结助剂对B_4C致密化的烧结等离子体烧结的影响
机译:烧结助剂对透明钕:YAG陶瓷的缺陷,致密化和单晶转化的影响。
机译:液膜毛细机理在陶瓷粉末快速烧结过程中的致密化
机译:烧结过程中表面和界面能对致密化的影响:几何模型烧结过程中表面和界面能对致密化的影响:几何方法
机译:HfB2-20siC(预印)放电等离子烧结过程参数对致密化影响的田口分析
机译:粉末陶瓷和金属陶瓷的致密化温度高于1400°C(在1400°C以上的温度下致密化粉末状陶瓷和金属陶瓷的过程)
机译:致密烧结陶瓷介电玻璃化剂-低损耗因数,介电常数降低,烧结温度低
机译:致密烧结陶瓷介电玻璃化剂-低损耗因数,介电常数低,烧结温度低
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