铋钼氧化物单晶电化学生长和半导体特性

摘要

本文利用电解还原Ｂｉ２Ｏ３－ＭｏＯ３熔盐方法，成功生长制备了大体积高质量铋钼氧化物单晶．该单晶呈紫红色薄片，具有正交对称性，晶胞参数为：ａ＝９．９９１（９）Ａ，ｂ＝４．０７８（３）Ａ，ｃ＝１４．４３８（２）Ａ，ａ＝β＝γ＝９０°．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）定量分析表明，单晶的经验化学式为：Ｂｉ０．４２Ｍｏ２Ｏ５．４低温电导呈半导体特性，热激发能ξｇ０．２４ｅＶ．