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金敏; 徐家跃; 房永征; 何庆波; 周鼎; 申慧;
上海应用技术学院材料科学与工程学院;
上海200235;
GaAs; 晶体生长; 坩埚下降法; 硅掺杂; 孪晶;
机译:硅和硅掺杂县县注入生长的掺杂硅纳米晶体的光学表征
机译:SiO 2 inf>共注入硅和掺杂剂生长的掺杂硅纳米晶体的光学表征
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:用于高电子迁移率晶体管的硅增量掺杂GaInP / GaInAs / GaAs伪晶异质结构的低温生长和表征
机译:化学气相沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜在硅和蓝宝石上的生长:生长,掺杂,金属化和表征
机译:形成蓝色LED八周期In0.2Ga0.8N / GaN量子阱的软约束电势的生长顺序中的量子势垒的最佳硅掺杂层。
机译:基于碳掺杂的GaAs和InP的异质结双极晶体管的生长和表征
机译:栅格不匹配的(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为Gaas上的调制掺杂场效应晶体管:分子束外延生长和器件性能
机译:用作横向VMOS晶体管的晶体管结构包括n掺杂的衬底层,p +掺杂的层,外延生长的n掺杂的层,p掺杂的p阱,p +掺杂的袋和多晶硅层
机译:绿色LED续。合成cpd。氮掺杂-准备。通过在封闭的安瓿瓶中生长单晶并在晶体生长过程中掺杂原子氮
机译:金属有机化学气相沉积在硅衬底上生长的GaAs外延层中δ掺杂的方法
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