基于超分子结构的光电子材料的制备与表征(英文)

摘要

为实现短波长光存储材料,提出一种基于金属纳米粒子与染料共掺杂的复合材料制备新方法。采用透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)以及傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对所制备的复合薄膜进行表征。实验发现,与未掺杂银的薄膜相比,掺杂银的复合薄膜中甲基橙的吸收蓝移了6nm。提出并利用超分子结构模型分析了该吸收蓝移的机理。研究结果显示,本研究所提出的这种新的材料制备方法具有制备吸收波长在400～500nm,且可望与GaN激光器在光存储技术中匹配的能力。