中子辐照GaAs的X射线漫散射研究

摘要

用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷．结果表明：中子辐照产生点缺陷团．辐照剂量为1019m－2和1021m－2时，缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm．这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果．平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的．