RTP改善超薄SiO_2膜特性的研究

摘要

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｉｎｇ——ＲＴＰ）后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容、ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中作栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实用价值。