高纯外延砷化镓

摘要

据报导日本电气通信研究所采用一种密闭的AsCl3-Ga-H2汽相外延系统,重复地生长出了高纯度的砷化镓外延层。低温（77°K）迁移率在1.8×105～2.1×105厘米2/伏·秒的范围内。改变AsCl3的浓度能够获得载流子浓度低于1015厘米-3的材料。已获得了载流子浓度为（2.0～5.3）×1013厘米-3的外延层,而且重复性较好。实验发现。