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程知群; 高启安;
合肥工业大学;
半导体薄膜; 氧化物半导体; 退火; ITO膜; 透光率;
机译:退火处理对沉积在ITO衬底上作为电子传输层的ITO衬底上的固溶处理ZnO膜的影响
机译:低温等离子体退火对柔性,透明和导电ITO / PEDOT的影响:PSS复合电极
机译:电离溅射工艺在(001)硅衬底上形成钛膜的低温退火行为。
机译:退火处理对带ITO膜的GaN基LED光学和电子性能的影响
机译:杂化有机/无机柔性结构:在柔性基板上低温沉积银导电迹线。
机译:激光退火参数对ITO /金属玻璃合金双层膜光学和电学性质的影响
机译:染料敏化太阳能电池热磷酸盐/甘油电解质中阳极氧化在ITO基底上制备非退火的锐钛矿型TiO2膜
机译:在具有纹理化缓冲层的柔性Ni基合金基底上制备高质量YBa2Cu3O(7-δ)厚膜
机译:在导电ITO膜上或在玻璃基板表面上作为ITO膜的金属基板形成金属薄膜层的方法,以及在导电ITO膜上或在玻璃基板表面上作为ITO膜的基板在金属基板上形成金属膜层的方法
机译:能够处理聚四氟乙烯带的触摸屏的ITO膜的退火设备和具有间隔的ITO膜的退火设备
机译:闪存器件的制造包括:在半导体衬底上形成氧化膜;在氮气气氛下执行预退火工艺;将氧化膜硝化;以及进行后退火工艺。
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