中子辐照对IGBT特性的影响

摘要

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验，对比了辐照前后器件的关断特性。