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李代宗; 余金中; 王启明;
中国科学院半导体研究所;
半导体薄膜; 化学汽相淀积; 脉冲激光淀积; 光催化; 光分解;
机译:二维分层半导体异质结的横向外延生长
机译:MOCVD生长的外延堆叠隧道结半导体激光器的研究
机译:利用金属迁移增强外延生长高质量GaN / GaN异质结的低温GaN外延生长
机译:半导体异质结的结构和光学性质和脉冲激光蒸发和外延生长的超晶格
机译:通过分子束外延生长基于III族氮化物的结和器件的异质和同质外延生长。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:二维层状半导体异质结的横向外延生长
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:III-V型半导体外延生长的方法和装置,低温高密度等离子体的产生,表观金属氮化物层,表观金属氮化物异质结和半导体
机译:具有外延生长的本征基极和沉积的本征基极的绝缘体上半导体横向异质结双极晶体管
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