GaAs／GaAlAs透射阴极量子效率相关参量分析

摘要

从半导体电子发射的三阶模型和扩散方程出发，讨论了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式ＮＥＡ光阴极量子效率与几种在工艺上重要的参量如电子扩散长度、阴极厚度、后界面复合速度等的关系．特别地，从工艺需求的角度出发，探讨了这种阴极在前照明和后照明的情况下，两者量子效率之间的关系．这为在工艺状态下利用阴极的反射光灵敏度，对其透射光灵敏度进行原位估计，提供了一定的理论依据．