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马建一; 顾肇业;
不详;
扩散长度; 量子效率; 透射式; 砷化镓; 光阴极;
机译:透射式InGaAs光电阴极的量子效率研究
机译:通过无杂质空位无序量子阱混合单片制备InGaAs / GaAs / AlGaAs多波长量子阱激光二极管
机译:具有薄发射层的反射型InGaAs光阴极的量子效率研究
机译:透射式GaN光阴极的量子产率研究
机译:GaInAsSb / AlGaAsSb量子阱异质结构的2.4微米超发光二极管,用于光学葡萄糖传感。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:InGaAs / GaAs量子点集合中的Knight场和局部核偶极-偶极场的测量
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
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