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罗风光; 曹明翠; 李洪谱; 万安君; 徐军; 李再光;
华中理工大学激光技术国家重点实验室;
MOCVD; 激光诱导; 选择原子层; 外延生长;
机译:使用MOCVD通过原子层外延在每个衬底上以0.7个单层的生长速率在Si衬底上自限生长ZnS
机译:利用湿法和干法缺陷选择性刻蚀研究MOCVD生长的GaN外延层的位错密度
机译:具有原子层外延生长的三层叠层阱结构的InAs / GaAs量子点激光二极管,激光发射波长为1.3μm
机译:MoCVD in_xga_(1-x)中原子序和相关域的TEM,TED和HREM研究作为层:依赖于生长温度和生长速率
机译:薄膜选择性生长的研究:原子层沉积中第三种物质的影响。
机译:泵浦价带光发射研究外延FeRh层中的激光诱导相变
机译:前驱体的研究及其在电致发光器件211薄膜原子层外延生长中的应用
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:具有通过外延和原子移位增强外延在原子层中生长的量子阱的II-VI激光二极管
机译:一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
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