利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te:In(英文)

摘要

利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe:In。不同In压下(Cd,Zn分压保持在平衡分压)的热处理实验结果表明:热处理后样品的电阻率可从6.75×105Ω .cm提高到108～1010Ω .cm;并且随着In压的增加,导电类型逐渐由p型转变为n型。热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释。利用扩散理论建立了CdZnTe:In的电阻率物理模型。利用热处理后样品的电阻率数据,计算了在873,973和1073K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn,分别为3.455×10-11,2.625×10-10和5.17×10-9cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式:1.35exp(-1.85eV/kT)cm2/s(873～1073K)。