Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究

摘要

采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态.浓度测试结果表明,In的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0.19到0.5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D0X峰存在两个热激活能2.8meV和21meV,低电阻晶体A0X热激活能为3.4meV。分析认为功掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。