基于IBIS模型的CMOS电路同步开关噪声的计算和优化

摘要

基于高速数字 I/O缓冲器瞬态行为模型计算并优化了 CMOS集成电路的同步开关噪声(SSN) .简述了用 IBIS(I/O Buffer Information Specification)数据文件构造高速数字 I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程 ,利用序列二次规划法 (SQP)对 CMOS电路的寄生参数和传输线的主要物理参数进行了优化分析 ,减小了 CMOS电路的 SSN.