多量子阱半导体激光器的瞬态响应特性分析

摘要

根据光增益与载流子密度的对数关系 ,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子复合项 ,通过适应于多量子阱激光器的速率方程 ,从理论上证明了短腔结构存在与阈值电流最小值对应的最佳阱数。给出了多量子阱激光器的瞬态响应特性的直接仿真结果及相图 ,分析了注入电流、阱数和腔长对其激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量的影响。