首页> 中文期刊> 《人工晶体学报》 >阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究

阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究

         

摘要

本文报道了阴离子F-,Cl-,I-和S2-掺杂的PbWO4晶体的生长与发光性能。通过对掺杂PbWO4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F-掺杂能使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献。而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号