Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究

摘要

针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验。试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作。此项工艺为硅湿法刻蚀加工提供了一条新的技术途径。