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董火民; 王矜奉; 王勇军; 陈洪存; 刘华; 张沛霖; 钟维烈;
山东大学物理系;
掺杂物; 压电性; 机电耦合系数; 三元系; 铁电陶瓷;
机译:Pb_(0.99)[(Zr_(0.6)Sn_(0.4))_(0.94)Ti_(0.06)] _(0.98)Nb_(0.02)O_3反铁电陶瓷的独特介电可调性
机译:机械限制的Pb_(0.99)Nb_(0.02)[(Zr_(0.57)Sn_(0.43))_(0.94)Ti_(0.06)] _(0.98)O_3的电场诱导反铁电至铁电相变
机译:Pb_(0.99)(Zr_(0.95)Ti_(0.05))_(0.98)Nb_(0.02)O_3和Pb_(0.99)[(Zr_(0.90)Sn_(0.10))_(0.96)Ti_( 0.04)] _(0.98)Nb_(0.02)O_3冲击波压缩下的铁电陶瓷
机译:热处理对0.8pb介电性能的影响(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3 - 0.2Pb(CO_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷
机译:Fe-Ni变异对Mn0.5Fe0.5 + XNI1-XSI0.94AL0.0.06和MN0.5FE0.5-XNI1 + XSI0.94AL0.06系统磁热性性能影响的研究
机译:001 c极化0.94Pb(Zn1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.06PbTiO3单晶的压电性能优化
机译:铁电90(度)域形成与化学制备的pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电性能的关系
机译:Pb(Zr_1_-XTi_X)O_3(PZT)铁电薄膜的制造方法
机译:掺有氧化mar的钛酸钡钕铁硼介电陶瓷组合物,可改善电性能
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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