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刘可辛; 罗升旭; 郑中山; 王继春; 王子建;
山东大学;
济南半导体所;
MOS结构; 准静态; C-V测量; C-V曲线;
机译:n / sup + // p / sup + /双栅CMOS技术中注入的多晶硅MOS结构的异常C-V特性
机译:在正偏区Al / SiO2 / p-Si结构的中低频C-V曲线的异常峰上
机译:使用C-V曲线分析InGaAs / GaAs HFET结构中的应变诱导效应的计算和实验研究
机译:MOS结构的C-V型号,具有浅P-n结的电物理参数和掺杂测定的曲线
机译:金属/准2D MOS2纳米结构的飞秒载体动力学
机译:具有嵌入式MOS电容器的高响应性石墨烯/硅光电二极管的I-V和C-V表征
机译:非均匀掺杂mOs结构理想C-V曲线的计算
机译:用于逐步扫描准静态测试信号的方法中的采样方法和装置
机译:用于眼镜架的检查曲线几何形状校正方法,包括搜索检查曲线的异常区域,并且如果发现异常区域,则校正检查曲线的每个异常区域的几何形状
机译:用于稳定发动机静态测试中的发动机入口流量和/或用于减少静态测试中发动机入口中的失速和压力波动的设备,用于飞机发动机的静态测试以及设备使用的设备
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