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童玉珍; 张国义; 徐自亮; 党小忠; 杨志坚; 金泗轩; 刘弘度; 王舒民;
北京大学;
半导体薄膜; 金属有机物; 化学汽相淀积; 外延生长;
机译:纵向光学拉曼模式A_1计算LP-MOCVD在极性和非极性平面上生长的外延Ingan层的铟摩尔分数
机译:通过透射电子显微镜和X射线衍射显示,LP-MOCVD在块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN激光有源结构中的均匀铟分布
机译:rf-mbe在(0001)蓝宝石上生长的富含ingan薄膜的生长和性质
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:EMMIM Tf2N离子液体中铂单晶电极上生长的PEDOT薄膜的IR和电化学合成及表征
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:有机半导体器件的制造方法,有机半导体器件,有机单晶薄膜生长方法,有机单晶薄膜,电子器件和有机单晶薄膜组
机译:有机半导体元件的制造方法,有机半导体元件,有机单晶薄膜的生长方法,有机单晶薄膜,电子设备以及有机单晶薄膜组
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