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郑远; 吴键; 艾萱; 钱峰; 陈新宇; 杨磊;
南京国博电子有限公司;
南京电子器件研究所;
低噪声放大器; 砷化镓; 赝配高电子迁移率场效应晶体管; 微波单片集成电路;
机译:采用0.18um CMOS技术的可开关负载电感的2.3 / 3.3GHz双频段低噪声放大器
机译:采用负反馈和电流重用技术的低功耗低噪声放大器
机译:采用前向偏置和前向组合技术的3.1-10.6-GHz电流重用CMOS超宽带低噪声放大器
机译:UWB系统中采用电流复用技术的高增益低噪声放大器的设计
机译:采用0.13microm CMOS技术的可磁调谐低噪声放大器的设计。
机译:螺旋倾斜瓣膜韧带重建采用横向频段技术治疗慢性槌手指的天鹅颈部畸形:案例报告
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用
机译:多频段电感复用低噪声放大器
机译:使用去斑机制的数字照明和成像子系统,该去斑机制采用激光二极管驱动电流的高频调制和光束复用技术
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