1.3μm GeSi单波导低功耗电光开关的探索

摘要

分析了几次研制结果发现，注入载流子的收集途径、体电阻和发射区的面积是影响单波导电光开关功耗的主要因素。在此基础上，提出了一种Ｓｉ基ＧｅＳｉ单波导低功率电光开关新结构，经估算它的功耗约为３Ｖ×２０ｍＡ，即６０ｍＷ，比现有最好的１０Ｖ×３０ｍＡ，即３００ｍＷ低一个数量级。