低噪声沟道注入硅雪崩光电二级管

摘要

据J·Appl.Phys.1978年49卷12期报导,日本富f士通研究所研制成功一种新式硅雪崩光电二极管,其结构为 n^+—P—π—P^+,衬底采用晶向的π/P^+外延片。通过硼离子沟道注入(800千电子伏),形成 P 层,经浅磷扩散0.3μm 构成 n^+层。其结构以及与随机注入的器件之特性比较示意图中。