Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究

摘要

采用磁控溅射方法在 Si(111)基片上沉积 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系作为扩散阻挡层。通过比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N 的电阻率,同时比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和 Ta,TaN 的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标。