首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >(Bi_(3.7)Dy_(0.3))(Ti_(2.8)V(0.2))O_(12)铁电薄膜的制备及退火影响

(Bi_(3.7)Dy_(0.3))(Ti_(2.8)V(0.2))O_(12)铁电薄膜的制备及退火影响

         

摘要

铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景,受到极大的关注,其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性,得到了广泛的研究。采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底成功沉积出(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)012(BDTV)的A、B位同时掺杂的铁电薄膜,发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性。研究了650~800℃不同退火温度下,BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化。通过SEM分析发现,温度为750℃时,薄膜的颗粒生长较好,薄膜的铁电性能最佳。

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