三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

摘要

利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol%三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol%三氟乙酸和4.4mol%丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场得到一定改善,而在此基础上双掺可将晶体居里点进一步提高至55℃,同时其热释电性能得到显著提高,晶体优值可提高为纯TGS晶体的3.3倍。