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何木芬;
桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点试验室;
广西桂林541004;
桂林电子科技大学材料科学与工程学院;
FePt薄膜; 相转变; 择优取向; 磁性能;
机译:退火温度和膜厚对NiO膜表面形貌,择优取向和介电性能的影响
机译:膜厚和择优取向对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O-7膜介电性能的影响
机译:膜生长缺陷对外延FePt薄膜磁微结构的影响
机译:膜厚和择优取向对PEALD沉积Hf-铝酸盐膜介电常数的影响
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:原子层沉积生长La2O3薄膜的膜厚和退火温度表征结构性能。
机译:基板温度和膜厚对HPPMS和直流磁控溅射Ge薄膜的热,电和结构性能的影响
机译:表面形貌对厚膜溅射薄膜结构生长的影响
机译:具有1μm或更大厚度的厚膜的铁素体薄膜形成方法,改善了磁性能并获得了铁素体薄膜
机译:在厚膜或薄膜电影的“时间输入”陶瓷基板上预先碱化以影响后半激光或类似物的方法和装置
机译:制造能够均匀控制膜厚和材料性能的镍薄膜的方法
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