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柴跃生; 罗春云; 张敏刚; 伍静;
上海大学材料科学与工程学院;
太原科技大学材料科学与工程学院;
第一性原理; 密度泛函理论; 价键畸变; 态密度;
机译:Si / SiO_2纳米结构的电子和光学性质。 Ⅰ。 Si / SiO_2量子阱中的电子空穴聚集过程
机译:多层纳米结构α-Si / SiO_2和α-GE / SiO_2对P-Si基材的电气和光电性能,在不同温度下退火
机译:从头算计算得出Ge和Si纳米微晶的光学性质。二。氢化纳米微晶-艺术没有。 155328
机译:Si离子注入合成的SiO_2中隔离的Si纳米晶与致密堆积的Si纳米晶层介电功能的比较研究
机译:多孔硅中尺寸选定的纳米微晶的光学性质。
机译:Si纳米晶-SiO2体系中磷的位置和电子性质
机译:纳米晶粒尺寸对si离子注入si O2中si纳米晶光学性质的影响
机译:mo / si纳米多层材料中离子辐照过程中的相互扩散和非晶化
机译:在具有绝缘层的Si基板上局部定义Si纳米晶体的生产,该层可用于电子开关技术中,气相Ga沉积在绝缘层中的孔中,纳米晶体从Ga-Si共晶中生长出来
机译:交联蛋白质基质中磁性纳米粒子的包埋,不影响蛋白质的功能性质
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