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刘欣; 胡礼中; 张贺秋; 邱宇; 赵宇; 骆英民;
大连理工大学物理与光电工程学院;
氧化锌; 微米刺球; 化学气相沉积; 压电应力传感器; 开关比;
机译:铟浓度对CVD法生长ZnO纳米结构形貌的影响及其在H_2气传感中的应用
机译:亚微米玻璃移液器上ZnO纳米棒的生长,结构及其在细胞内电位选择性离子传感器中的应用
机译:超长ZnO微丝的生长及其在可隔离柔性压电应变传感器中的应用。
机译:具有超薄外延沟道层的第十微米p-MOSFET超高真空CVD法生长
机译:取向ZnO压电薄膜的制备与评价及其在声表面波器件中的应用
机译:亚微米玻璃移液器上ZnO纳米棒的生长结构及其在细胞内电位选择性离子传感器中的应用
机译:ZnO纳米线在逆向反射微球上的生长以及由此产生的光通道和等离子体特性
机译:压电压力传感器水冷传感器,在沿传感器纵向轴线排列并在膜片和外壳底部之间预应力的预应力单元内设有压电测量单元
机译:在亚微米样品中施加应力,以确定亚微米样品中的应力
机译:使用单源CVD生长ZnO膜
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