热处理对PI基板铜薄膜金属化TiN阻挡层的影响

摘要

聚酰亚胺(PI)材料具有介电常数低,分解温度高及化学稳定性好等优点,是很有前途的电子封装材料。Cu具有低的电阻和高的抗电迁移能力,是PI基板金属化的首选材料。采用物理气相沉积(PVD)方法在PI 基板上沉积Cu薄膜,利用TiN陶瓷薄膜阻挡Cu向PI基板内部扩散。研究热处理条件下TiN陶瓷薄膜阻挡层的阻挡效果、Cu膜电阻变化以及Cu膜的结合强度,俄歇谱图分析表明TiN可以有效地阻挡Cu向PI内的扩散。300℃热处理消除了Cu膜内应力,提高了Cu膜的结合强度。