高临界电流密度K_3C_(60)超导单晶薄膜的合成

摘要

我们在云母(001)面上合成高质量的K_3C_(?)单晶薄膜。在正常态下它表现出金属性的电阻一温度的依赖关系,且符合关系式p(T)=a+bT^2。单晶薄膜在22K附近具有很陡的超导转变,转变宽度(电阻值由90％到10％)小于700mK,零电阻温度为21K,连续直流测量出的临界电流密度高达50000A/cm^2。