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一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法

摘要

一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法,其具体作法是:a、前驱溶液制备:将乙酸钇、乙酸钡、乙酸铜及杂质元素的乙酸盐,按钇∶钡∶铜∶杂质元素的化学计量比1∶2∶3-X∶X,0.0002≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中,得前驱溶液,所述的杂质元素为钴(Co)、铁(Fe)、锌(Zn)、镍(Ni)、锂(Li)中的一种;b、在a步的前驱溶液中,加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB),得到涂层胶体;c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜;d、将C步的制得的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理,即得。该方法制得的YBCO超导薄膜具有高度双轴织构,表面平整、致密,在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单,适合于大规模工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN101456726B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南交通大学;

    申请/专利号CN200910058055.7

  • 申请日2009-01-07

  • 分类号

  • 代理机构成都博通专利事务所;

  • 代理人陈树明

  • 地址 610031 四川省成都市二环路北一段111号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 39/24 授权公告日:20120321 终止日期:20150107 申请日:20090107

    专利权的终止

  • 2012-03-21

    授权

    授权

  • 2009-08-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-17

    公开

    公开

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