法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 39/24 授权公告日:20120321 终止日期:20150107 申请日:20090107
专利权的终止
2012-03-21
授权
授权
2009-08-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-17
公开
公开
机译: 具有高临界电流密度的钇钡铜氧超导体及其晶体和制备方法
机译: 具有高临界电流密度的钇钡铜氧超导体及其晶体和制备方法
机译: 具有定向微晶和高临界电流密度的钇-钡-铜-氧-超导体及其制备工艺。