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谭刚;
中国工程物理研究院电子工程研究所;
单晶硅; 化学机械抛光; 平坦化;
机译:使用超声辅助固定磨料CMP(UF-CMP)对硅晶圆边缘进行镜面抛光
机译:薄膜应力水平对PETEOS晶圆CMP抛光速率的影响
机译:减少硅晶圆抛光中的CMP焊盘磨合时间
机译:晶片边缘形状对CMP抛光速率分布的影响 - 关于晶圆ETG卷取和缺口
机译:用于集成电路制造的化学机械平面化/抛光(CMP)的集成模型:从微粒级到芯片级和晶圆级。
机译:使用薄晶圆掩模的辉光放电质谱分析小硅样品的方法
机译:多晶硅晶圆对多晶硅晶圆对太阳能电池性能的影响
机译:晶圆厚度对多晶硅太阳能电池性能的影响:实验研究
机译:CMP装置的抛光头可改善晶圆和均匀晶圆的打磨均匀性
机译:CMP晶圆载体,用于优先抛光晶圆
机译:半导体晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺包括在压力下用碱性试剂抛光和使用碱性溶液进行后抛光以去除残留物
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