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王传新; 汪建华; 满卫东; 马志斌; 王升高; 康志成; 王涛;
中国科学院等离子体物理研究所;
武汉化工学院;
负偏压形核; 金刚石薄膜; 附着力; 微波等离子体化学气相沉积; 硬质合金刀具;
机译:负偏压微波等离子体在钢基底上形成六角形金刚石增强了化学气相沉积
机译:石墨丝的起源对改善CH 4 inf> / Ar等离子体中负偏压增强的生长超纳米晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响
机译:石墨细丝起源于改善CH_4 / Ar等离子体中负偏压增强的超纳米晶金刚石薄膜的电子场发射性能
机译:碳化在6H-SiC(0001)衬底上金刚石膜高取向生长过程中偏压增强形核步骤中的影响
机译:铟镓锌氧化物和锌锡氧化物薄膜晶体管的制造工艺评估和负偏压照明应力研究。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:X射线吸收光谱法和原子力显微镜研究金刚石膜偏向形核的研究
机译:金刚石薄膜在钨上的附着力
机译:正电极薄膜,其制备方法是:通过将负偏压压入正电极,并沉积正电极活性材料,以及所有包含正电极薄膜的固态锂薄膜电池
机译:钨夹层的使用可增强超纳米晶金刚石(UNCD)薄膜的初始成核和保形性
机译:通过增强形核的薄膜生长的表面处理
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