辉光功率对n型a-Si:H薄膜结构及性能的影响

摘要

采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,以氢稀释的硅烷（SiH4）为反应气体,磷烷（PH3）为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。研究了辉光放电功率对薄膜微结构和光电性能的影响,采用XRD和拉曼散射光谱对薄膜的微结构进行了表征,薄膜的折射率通过NKD-7000 W光学薄膜系统拟合,薄膜暗电导率利用高阻仪测试。结果表明：在辉光功率30-150 W范围内,所沉积的磷掺杂的硅薄膜为非晶态;非晶态薄膜结构中程有序度随辉光功率的增大先增大后减小,在功率为100 W时非晶硅薄膜中程有序程度最高;薄膜的折射率随着辉光功率的增大先增加后减小,在功率为70 W达到最大值3.7;薄膜暗电导率在100 W最大,其最大值为9.32×10^-3S/cm。