掺钇非晶硅薄膜的激光退火

摘要

本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H(Y)用CWCO_2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5W,晶化的平均晶粒尺寸为500(?),相应的室温电导率提高4个数量级。当采用扫描式激光退火,提高了功率密度,平均晶粒尺寸为1060(?)。 另外,本文对CWCO_2激光退火机理作了初步讨论。