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刘康;
国营天光集成电路厂科技处;
功率; 肖特基势垒; 整流二极管; 性能; 工艺特点;
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:Al / N型Si肖特基势垒二极管温度依赖性肖特基势垒特性与Au-Cu酞菁层间
机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:改善硅化铂肖特基势垒功率二极管反向特性的新工艺
机译:硅化N NMOS作为肖特基势垒CMOS工艺候选者的探索性研究
机译:用深层瞬态光谱研究了离子辅助栅极凹陷工艺对alGaN / GaN肖特基势垒二极管GaN沟道的损伤
机译:通过保护性砷涂层的热解吸制备的Gaas(100)表面上的au和al肖特基势垒形成。
机译:CoSi 2层的蚀刻工艺以及使用该蚀刻工艺制造肖特基势垒探测器的工艺
机译:单多双极工艺中肖特基势垒二极管的制造工艺
机译:碳化硅(SiC)功率器件的肖特基势垒结构
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