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罗南林; 杨春晖; 刘百勇;
广东农工商管理学院计算机系;
电子部第五研究所;
华南理工大学应用物理系;
固相外延; 绝缘层上硅单晶; 溅射; 二氧化硅;
机译:通过Na横向扩散到氧化钴外延层中反应性固相外延生长NaxCoO2(x类似于0.83)
机译:使用选择性外延生长和横向固相外延的-D BiCMOS技术的器件特性
机译:通过多层固相外延生长的抗THCR2SI2型LA2O2SB薄膜的SB方净的高导电。通过多层固相外延生长
机译:使用选择性外延生长(SEG)和横向固相外延(LSPE)的3-D BiCMOS技术
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:固-气相外延在Si(111)上生长的3C-SiC薄膜的微喇曼映射
机译:通过扫描隧穿显微镜研究的Si表面上的固相外延。扫描 - 隧道显微镜观察Ge固相外延对Si(111)。
机译:固相外延生长应变si(1-x)Gex的原位TEm研究。
机译:通过激光退火(外延)重结晶进行固相外延生长
机译:固相外延反应器,最具成本效益的GaAs外延生长技术
机译:固相外延反应器,最具成本效益的GAAS外延生长技术(THE)
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